Международная научно–техническая конференция «Проектирование систем на кристалле: тенденции развития и проблемы»

19 октября

13.00 – 14.00 Регистрация участников;

14.00 – 16.00 Пленарное заседание (ауд.3103);

А.А. Орликовский – «Проблемы современной наноэлектроники: технология, диагностика, оборудование»;

Г.Я. Красников, Н.А.Шелепин – «Состояние и перспективы развития технологий и элементной базы СБИС с энергонезависимой памятью»;

16.00 – 20.00 Секционные заседания. Анкетирование участников.

20 октября

14.00 – 16.00 Пленарное заседание (ауд.3103);

А.Л. Стемпковский, С.В. Гаврилов – «Методы ускоренной характеризации библиотечных элементов и сложно-функциональных блоков нанометровых СБИС»;

В.Ш. Меликян «Методология создания библиотек цифровых стандартных ячеек для проектирования систем на кристалле с низким энергопотреблением»;

16.00 – 20.00 Секционные заседания. Работа комиссии по подведению итогов конкурсов.

21 октября

14.00 – 15.00 Проведение семинара по современным технологиям проектирования систем на кристалле на базе учебно-образовательного центра Synopsys-МИЭТ (ауд.7207);

15.00 – 17.00 Круглый стол. Обсуждение научных докладов (ауд.3103);

17.00 - 18.00 Заключительное пленарное заседание (ауд.3103).

Секция 1

Методы автоматизации проектирования микро- и наноэлектронных систем на кристалле.

Руководители: Стемпковский Александр Леонидович, академик РАН.

Уч.секретарь: Гаврилов Сергей Витальевич, докт. техн. наук, профессор.

Секционные заседания

20 октября, 16.00 – 20.00 ауд.3103

Беспалов В.А., Кононов А.Н., Немчин Д.Ю., Черкашин В.А. Разработка архитектуры информационно-защищенной системы каталогизации проектных решений электронной компонентной базы. МИЭТ, ОАО ЗИТЦ, Москва.

Булах Д.А. Аспекты и перспективы применения алгоритма компиляционного формирования математических моделей ИС. МИЭТ, Москва.

Васильев Е.С. Принципы и подходы к построению подсистемы считывания флэш-памяти. ОАО «НИИМЭ и Микрон», Москва.

Голохов М. Г. Методы проектирования нейросетевых систем управления на базе ПЛИС. МИЭТ, Москва.

Заглядин Г.Г. Метод глобальной трассировки цепей субмикронных СБИС c использованием семейства деревьев Штейнера. МИЭТ, Москва.

Заикин А.В. Применение принципа построения семейств при решении задачи планировки цепей. МИЭТ, Москва.

Каграманян Э.Р. Особенности характеризации сложно-функциональных блоков в маршруте заказного проектирования КМОП СБИС. МИЭТ, Москва.

Кобзев Ю.М., Эннс В.И. Аналоговые ядра как основа высокоуровневого описания библиотек аналоговых блоков. ЗАО «Дизайн Центр «Союз», ОАО «Ангстрем», Москва.

Кононов Н.А. Оптимизация логических модулей для СБМК и ПЛИС. ОАО ЗИТЦ, Москва.

Коробов С.В. Визуализация клеточных автоматов в программе SoftCAM. МИЭТ, Москва.

Медведев И.А. Масштабируемые механизмы синхронизации потоков в многоядерных системах. МИЭТ, Москва.

Осипов Е.О. Верификация компактных моделей наноразмерных приборов ИС. МИЭТ, Москва.

Постельняк А.А., Метельский Р.А., Пирютина Г.А. Разработка алгоритмов для ускорения визуализации результатов моделирования ИС. МИЭТ, Москва.

Скачкова Е. П. Методы логико-временного анализа сложно-функциональных блоков нанометровых СБИС. МИЭТ, Москва.

Старков А. В. Адаптация алгоритма верификации межсоединиеий СБИС для многослойной и иерархической топологии. МИЭТ, Москва.

Шильников Н. А. Кроссплатформенное программное обеспечение для просмотра топологии интегральных схем в формате LEF/DEF. МИЭТ, Москва.

Секция 2

Методы энергосберегающего проектирования систем на кристалле: тенденции развития и проблемы.

Руководитель: Меликян Вазген Шаваршович, докт. техн. наук, профессор.

Уч.секретарь: Казеннов Геннадий Георгиевич, докт. техн. наук, профессор.

Секционные заседания

20 октября, 16.00 – 20.00 ауд.3103

Aharonyan V.K. Low and full speed USB transmitter design using CMOS technology. CJSC “Synopsys Armenia”, Erevan.

Волобуев П.С., Мариныч А.В… Анализ подходов к снижению энергопотребления функциональных блоков СнК в режиме ожидания. МИЭТ, Москва.

Гусев С. В. Алексеев А.А. Методы повышения энергоэффективности систем на кристалле на примере микроконтроллера 1901ВЦ1Ф ЗАО”ПКК Миландр”. ЗАО”ПКК Миландр”, Москва.

Дьяконов В.М., Семученков Н.В., Тараканов В.С., Фролов Д.П. Проектирование энергоэффективных базовых элементов на основе замещения логических элементов «эквивалентными инверторами. МИЭТ, Москва.

Дьяконов В.М., Коршунов А.В. Использование альтернативных источников энергии для питания СБИС и СнК. МИЭТ, Москва.

Ларионов А.В. Алгоритм оценки мощности, потребляемой цифровой схемой. ОАО ЗИТЦ, Москва.

Лобанова А.Ю. Разработка маршрута проектирования блоков высокопроизводительных микропроцессоров с применением методов снижения рассеиваемой мощности. МИЭТ, Москва.

Секция 3

Новые процессы суб-100нм технологии и технологическое оборудование для передовых производств СБИС.

Руководители: Орликовский Александр Александрович, академик РАН.

Лукичев Владимир Федорович, докт. физ.-мат. наук.

Уч.секретарь: Королев Михаил Александрович, докт. техн. наук.

Секционные заседания

19 октября, 16.00 – 20.00 ауд.3103

Балашов А.Г., Ключников А.С.Приборное моделирование транзистораплавникового типа (FinFET). МИЭТ, Москва.

Голишников А.А., Костюков Д.А., Путря М.Г., Рыбачек Е.Н. Формирование наноразмерных структур методом изотропного плазменного травления. ГУ НПК ТЦ МИЭТ, Москва.

Голишников А.А., Костюков Д.А. Разработка процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния для создания МЭМС структур. ГУ НПК ТЦ МИЭТ, Москва.

Кононов Н.А. Разработка маршрута проектирования мультислойных фотошаблонов для изготовления специализированных СБИС микро- и нанометрового уровня технологий. ОАО ЗИТЦ, Москва.

Красников Г.Я., Матюшкин И.В. Влияние подзатворного субоксидного слоя SiO_х на электрофизические свойства МДП-транзисторов с проектной нормой 90 нм. ОАО «НИИМЭ и Микрон», Москва.

Ларионов А.В. Системы автоматизированной подготовки данных
для аттестации точностных параметров фотошаблонов
с проектными нормами 0,35-0,25мкм. ОАО ЗИТЦ, Москва.

Майоров А.С. Моделирование критических параметров транзисторов в КМОП-технологии с топологическими нормами проектирования 130 нм. МИЭТ, Москва.

Матюшкин И.В. Разработка элементной базы квантовых клеточных автоматов на основе нанокристаллов Si в матрице SiO_2. ОАО «НИИМЭ и Микрон», Москва.

Сагунова И.В. Применение сканирующей электропроводящей микроскопии для исследования дефектности металлизации СБИС с нанометровыми проектными нормами. МИЭТ, Москва.

Сибагатуллин А.Г., Горшкова Н.М. Электротермическая связь в аналоговых схемах на гетероструктурных биполярных транзисторах. ИППМ РАН, Москва.

Сивченко А.С. Методы повышения надежности микросварных соединений в системе Au-Al при производстве ИС. МИЭТ, Москва

Секция 4

Элементная база систем на кристалле. Особенности технологии изготовления и моделирования.

Секционные заседания

19 октября, 16.00 – 20.00 ауд.3103

Руководители: Красников Геннадий Яковлевич, академик РАН.

Шелепин Николай Алексеевич, докт. техн. наук.

Уч.секретарь: Хренов Григорий Юрьевич, докт. физ.-мат. наук, профессор.

Аредов А.А. Особенности проектирования системы импульсно-фазовой автоподстройки частоты. МИЭТ, Москва.

Артамонов Д.С. Высокопроизводительные реконфигурируемые многопроцессорные «системы-на-кристалле» (СнК) на основе унифицированной параметризованной платформы СнК. МИЭТ, Москва.

Белозеров М.А. Архитектура программного комплекса для изготовления ''MULTI-PROJECT'' ФШ с уровнем технологии 0.18 - 0.13 мкм. ОАО ЗИТЦ, Москва.

Белозеров М.А., Немчин Д.Ю. Верификация и оптимизация многофазного плана тактирования для синхронной цифровой схемы. ОАО ЗИТЦ, Москва.

Горшкова Н.М., Сибагатуллин А.Г. Трансимпедансный усилитель, совмещенный с фильтром верхних частот. ИППМ РАН, Москва.

Ковалевский А.В, Кучко В.Е., Князев А.С., Шаманаев А.В. Реализация радиочастотных элементов систем на кристалле в технологиях SiG на БИКМОП. Частное научно-производственное унитарное предприятие "НТЛаб-ИС", г .Минск, Республика Беларусь; НПК "Технологический центр" МИЭТ.

Красников Г.Я., Орлов О.М., Шелепин Н.А. Перспективы и особенности развития встроенной энергонезависимой памяти на основе хранения заряда при дальнейшем уменьшении проектной нормы до 90 нм и менее. ОАО «НИИМЭ и Микрон», Москва.

Мухин И.И. Разработка активного фазовращателя СВЧ диапазона по принципу СнК. МИЭТ, Москва.

Сидоров И.И. Проектирование цифровых устройств на основе латчей с импульсной синхронизацией. МИЭТ, Москва.

Тимошенков В.П. Защита SiGe БИКМОП микросхем построенных по принципу Система на кристалле от электростатического напряжения. МИЭТ, Москва.

Тимошенков В.П. SoC СВЧ трансивер на основе SiGe технологии. МИЭТ, Москва.

Эннс А.В., Эннс В.И. Реализация метода кусочной аппроксимации источника опорного напряжения. МИЭТ, ОАО «Ангстрем», Москва.